中国原子能科学研究院SiCMOSFET半导体器件性能测试

询比采购公告

　中国原子能科学研究院SiCMOSFET半导体器件性能测试已具备采购条件，现公开邀请供应商参加采购活动。

1　采购项目简介

1.1　采购项目名称

中国原子能科学研究院SiCMOSFET半导体器件性能测试

1.2　采购单位

中国原子能科学研究院

1.3　采购代理机构（如有）

/

1.4　采购项目资金落实情况

已落实

1.5　采购项目概况

采购4组SiC MOSFET测试电路板，2组SiC MOSFET开关矩阵，辐照实验前后SiC MOSFET器件的性能测试服务，包括IV、CV、FIB、SEM以及DLTS测试分析，测试数据共包含53条；同时提供产品数据表、合格证及装箱单；详见《SiC MOSFET半导体器件性能测试技术规格书》

1.6　成交供应商数量及份额

?7?1 1 家、 100% 。

2　采购范围及相关要求

2.1　采购范围

(1)SiC MOSFET测试电路板，4组

测试板面积约40 cm*40 cm，测试板厚度不小于1.6 mm，电路线内包；损耗要小，适用于指定封装（TO-247）的SiC MOSFET高功率半导体器件的上电、测试等功能，可施加电压电流满足1200 V以上、1 μA精度；至少可同时实现至少9只器件的上电、测试等功能，并能保证功率器件的散热等特性。具体的设计参数需根据具体需求商定。

(2)SiC MOSFET开关矩阵，2组

基于2台或3台单通道测试源表、一台工控机，可控制至少9只SiC MOSFET高功率半导体器件的开关；可通过中间交换机及上位机远程控制正常使用；单次实现1-3枚器件的栅源两端、漏源两端的电学性能测试等功能。具体的设计参数需根据具体需求商定。

(3)转移特性曲线（Transfer characteristic curves）分析: 20枚

测试环境为室温条件下，SiC MOSFET功率器件的栅极源极电压覆盖0V-10 V区间，测试电流峰值大于10 A；电压增加分辨率（测试步长）好于200 mV；电流分辨率好于200 mA、每个测试电压点测试时间tp≤200 ?0?8s的伏安特性曲线，提供对应的电压-电流数据，并出具测试分析报告。

（4）传输特性曲线（Output characteristic curves）分析: 20枚

测试环境为室温条件下，SiC MOSFET的漏极源极电压覆盖0V-10 V区间、源极漏极电压为6V、8V、10V、12V、14V、16V，电压增加分辨率（测试步长）小于200 mV、电流分辨率好于200 mA、每个测试电压点测试时间tp≤200 ?0?8s的伏安特性曲线，提供对应的电压-电流数据，并出具测试分析报告。

（5）电容-电压（CV）测试分析: 20枚

测试环境为室温条件下，SiC MOSFET功率器件的漏极源极电压0-1000 V区间的典型电容值，测试频率1 MHz，栅极源极电压0V，提供对应的电容（Coss、Ciss、Crss）-电压测试数据，并出具测试分析报告。

（6）器件表面形貌观测:20枚

对辐照前后的SiC MOSFET功率器件进行扫描电子显微镜SEM测试，观测器件表面，给出器件相应的表面形貌、表面成分分布信息，分析不同辐照条件对器件表面结构的影响。

（7）器件结构及成分分析：2枚

采用FIB精准切割 高分辨冷场发射扫描电镜拍照相结合的方式，在FIB观测模式下精确找到SiC MOSFET器件的关键区域，进行离子束切割，获得特征剖面6处。将切割后的样品通过高分辨冷场发射扫描电镜进行观测，分别获取从250×到300k×的图像不少于6张。同时，借助EDS能谱仪，分析样品剖面的元素分布。

（8）深能级瞬态谱特性分析（DLTS）: 10枚

测试温度范围须覆盖100 K-500 K区间的SiC MOSFET功率器件的深能级瞬态谱曲线，提供对应测试数据结果并出具测试分析报告。同时，提供相应电容-电压曲线或者电流-电压曲线的测试数据结果，并出具测试分析报告。

详见《SiC MOSFET半导体器件性能测试技术规格书》

2.2　服务期限

合同签订后6个月内完成。

2.3　服务地点

中国原子能科学研究院

2.4　质量要求或服务标准

满足采购文件技术规格书要求，并经采购人履约验收合格

3　供应商资格要求

3.1　供应商应依法设立且具备承担本采购项目的资质条件、能力和信誉：

（1）资质要求：